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https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/20352Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| wellersondosreisramos.pdf | 3.41 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
| Clase: | Dissertação |
| Título : | Síntese e caracterização de heteroestruturas bidimensionais de TMDs |
| Autor(es): | Ramos, Wellerson dos Reis |
| Orientador: | Fragneaud, Benjamin |
| Co-orientador: | Maciel, Indhira Oliveira |
| Miembros Examinadores: | Moreira, Leandro Malard |
| Miembros Examinadores: | Massote, Daniel Vasconcelos Pazzini |
| Resumo: | Nesta dissertação foram estudadas as características gerais e métodos de crescimento dos dicalcogenetos de metais de transição (TMD) e de heteroestruturas (HS) formadas por eles. Teve como objetivo a síntese de dissulfeto de molibdênio (MoS2) para possibilitar o crescimento de uma heterojunção de MoSe2-MoS2 através do método de deposição química na fase vapor (CVD), ou seja, crescer uma HS sem ser preciso o uso de técnicas de transferência entre substratos, algo pouco encontrado na literatura. Com essas amostras foi possível analisar o comportamento optoeletrônico desse tipo de nanomaterial, através de espectroscopia Raman e de fotoluminescência. Também foram utilizadas microscopia óptica e eletrônica. Observouse que nas heteroestruturas sintetizadas cada camada dos TMDs crescidos sofreram alterações nas suas redes cristalinas no momento do crescimento para se obter uma configuração mais estável. Isso aumenta o efeito de acoplamento entre as camadas, possibilitando observações de tríons, um estado ligado formado pela atração dois elétrons (buracos) e um buraco (elétron), como também de alterações nas vibrações da rede dos materiais. |
| Resumen : | In this work, were study the general characteristics and growth methods of transition metal dichalcogenides (TMD) and their heterostructures (HS). The aimed was the synthesis of molybdenum disulfide (MoS2) to enable the growth of a MoSe2-MoS2 heterojunction by the chemical vapor deposition (CVD) method, that is, to grow an HS without the use of transfer between substrates, something rarely found in the literature. With these samples, it was possible to analyze the optoelectronic behavior of this nanomaterial, through Raman and photoluminescence spectroscopy. Optical and electron microscopy were also used. It was observed that in the synthesized heterostructures, each layer of the grown TMDs underwent changes in their crystal lattices to obtain a more stable configuration. This increases the coupling effect between the layers, enabling observations of trions, a bound state formed by the attraction of two electrons (holes) and a hole (electron), as well as changes in the vibrations of the materials' lattice. |
| Palabras clave : | TMD Heteroestruturas Raman Fotoluminescência Heterostructures Photoluminescence. |
| CNPq: | CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA |
| Idioma: | por |
| País: | Brasil |
| Editorial : | Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF) |
| Sigla de la Instituición: | UFJF |
| Departamento: | ICE – Instituto de Ciências Exatas |
| Programa: | Programa de Pós-graduação em Física |
| Clase de Acesso: | Acesso Aberto Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazil |
| Licenças Creative Commons: | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/ |
| URI : | https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/20352 |
| Fecha de publicación : | 25-feb-2022 |
| Aparece en las colecciones: | Mestrado em Física (Dissertações) |
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